双金属复合耐磨管具有很好的电学性质和均匀性 ,而 PP- SI的均匀性和电学参数都很差 .在 IP- SI样品的 PL谱中出现与深缺陷有关的荧光峰.光激电流谱的测量结果表明 :在 IP气氛下退火获得的半绝缘磷化铟中的缺陷明显比 PP- SI磷化铟的要少 .并对退火后磷化铟中形成缺陷的机理进行了探讨分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响。

      深能级瞬态谱(DLTS),X射线衍射等方法分别研究了退火前后双金属复合耐磨管材料的性质和缺陷.结果表明受高温热激发作用部分铁原子由替位转变为填隙,导致InP材料缺少深能级补偿中心而发生导电类型转变.通过比较掺杂、扩散和离子注入过程Fe原子的占位和激活情况分析了这一现象的机理和产生原因. 包括双金属复合耐磨管团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响,坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等.对双金属复合耐磨管缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析.在此基础上获得了“开盒即用(EPI-READY)”、具有良好晶格完整性、表面无损伤的InP单晶衬底抛光片.高温退火后掺铁半绝缘(SI)InP单晶转变为n型低阻材料.利用霍尔效应(Hall),热激电流谱(TSC)。

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